半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811369379.8

申请日：

2018-11-16

公开(公告)号：

CN111199910A

公开(公告)日：

2020-05-26

发明(设计)人：

吴秉桓林鼎佑

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L218234 H01L27088

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

袁礼君;阚梓瑄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-26	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20181116

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910B ,2024-07-26

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

丁文波 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113206010A ,2021-08-03

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

韩秋华 ;

林益世 .

中国专利 :CN103839879A ,2014-06-04

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

田武 ;

孙超 .

中国专利 :CN112582272A ,2021-03-30

[6]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105845577A ,2016-08-10

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

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