半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011456995.4

申请日：

2020-12-11

公开(公告)号：

CN112582272A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

田武孙超

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2906 H01L29423 H01L2978 H01L2994 H01L218234 H01L27088

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

吕姝娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2022-04-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20210330
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201211

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105845577A ,2016-08-10

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910B ,2024-07-26

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

丁文波 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113206010A ,2021-08-03

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910A ,2020-05-26

[6]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

叶李欣 ;

杨弘 .

中国专利 :CN115394709A ,2022-11-25

[7]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107689372A ,2018-02-13

[8]

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105990119B ,2016-10-05

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

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