半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110486421.X

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113206010A

公开(公告)日：

2021-08-03

发明(设计)人：

丁文波叶甜春罗军赵杰薛静

申请人：

申请人地址：

510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2711524 H01L29423 H01L2966 H01L29788

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

姚璐华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 登记生效日:20210924 变更事项:申请人变更前权利人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院变更后权利人:广东省大湾区集成电路与系统应用研究院变更事项:地址变更前权利人:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋变更后权利人:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋变更事项:申请人变更后权利人:澳芯集成电路技术（广东）有限公司
2021-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210430
2021-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910B ,2024-07-26

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

苏炳熏 ;

杨展悌 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113594161B ,2024-08-23

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

苏炳熏 ;

杨展悌 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

薛静 .

中国专利 :CN113594161A ,2021-11-02

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

吕瑞霖 ;

辜良智 ;

李由 .

中国专利 :CN104835854A ,2015-08-12

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

吴秉桓 ;

林鼎佑 .

中国专利 :CN111199910A ,2020-05-26

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

田武 ;

孙超 .

中国专利 :CN112582272A ,2021-03-30

[8]

半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

王胜名 ;

陈超 ;

李绍彬 ;

仇圣棻 .

中国专利 :CN109273445B ,2019-01-25

[9]

半导体器件结构及其制作方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105845577A ,2016-08-10

[10]

半导体器件的器件层制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054697A ,2011-05-11

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