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IGBT器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210333617.6
申请日
:
2012-09-10
公开(公告)号
:
CN103681817B
公开(公告)日
:
2014-03-26
发明(设计)人
:
谈景飞
朱阳军
王波
张文亮
褚为利
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
H01L29739
IPC分类号
:
H01L21331
H01L29417
H01L29423
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
王宝筠
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2014-03-26
公开
公开
2014-04-23
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581679851 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012103336176 申请日:20120910
2016-09-14
授权
授权
共 50 条
[1]
IGBT器件及其制作方法
[P].
韩健
论文数:
0
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0
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韩健
;
顾悦吉
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顾悦吉
;
黄示
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黄示
;
陈琛
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0
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陈琛
.
中国专利
:CN105489644A
,2016-04-13
[2]
IGBT器件及其制作方法
[P].
滕渊
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滕渊
;
朱阳军
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朱阳军
;
卢烁今
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卢烁今
;
田晓丽
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0
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田晓丽
.
中国专利
:CN106711204B
,2017-05-24
[3]
IGBT器件及其制作方法
[P].
曹功勋
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0
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曹功勋
.
中国专利
:CN113851379A
,2021-12-28
[4]
IGBT器件及其制作方法
[P].
曹功勋
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0
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曹功勋
.
中国专利
:CN113571415A
,2021-10-29
[5]
IGBT器件及其制作方法
[P].
曹功勋
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曹功勋
.
中国专利
:CN113851380A
,2021-12-28
[6]
载流子存储型IGBT器件及其制作方法
[P].
杨翔宇
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
杨翔宇
;
张庆雷
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
张庆雷
;
王波
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
王波
;
王天意
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
王天意
.
中国专利
:CN117542877A
,2024-02-09
[7]
载流子存储型IGBT器件及其制作方法
[P].
杨翔宇
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
杨翔宇
;
张庆雷
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
张庆雷
;
王波
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
王波
;
王天意
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机构:
上海林众电子科技有限公司
上海林众电子科技有限公司
王天意
.
中国专利
:CN117542877B
,2024-03-19
[8]
IGBT器件及其制作方法
[P].
胡爱斌
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胡爱斌
;
朱阳军
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朱阳军
;
卢烁今
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卢烁今
;
王波
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王波
;
吴振兴
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吴振兴
;
田晓丽
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田晓丽
;
赵佳
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赵佳
;
陆江
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陆江
.
中国专利
:CN103794645B
,2014-05-14
[9]
IGBT器件及其制作方法
[P].
叶俊雅
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
叶俊雅
;
洪智强
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
洪智强
.
中国专利
:CN119815849A
,2025-04-11
[10]
IGBT器件及其制作方法
[P].
潘嘉
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潘嘉
;
张同博
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张同博
;
姚一平
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姚一平
;
杨继业
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杨继业
;
邢军军
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邢军军
;
陈冲
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陈冲
;
黄璇
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黄璇
;
孙鹏
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孙鹏
.
中国专利
:CN113903801A
,2022-01-07
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