IGBT器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210333617.6
申请日
2012-09-10
公开(公告)号
CN103681817B
公开(公告)日
2014-03-26
发明(设计)人
谈景飞 朱阳军 王波 张文亮 褚为利
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L21331 H01L29417 H01L29423
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王宝筠
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
韩健 ;
顾悦吉 ;
黄示 ;
陈琛 .
中国专利 :CN105489644A ,2016-04-13
[2]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
滕渊 ;
朱阳军 ;
卢烁今 ;
田晓丽 .
中国专利 :CN106711204B ,2017-05-24
[3]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN113851379A ,2021-12-28
[4]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN113571415A ,2021-10-29
[5]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
曹功勋 .
中国专利 :CN113851380A ,2021-12-28
[6]
载流子存储型IGBT器件及其制作方法 [P]. 
杨翔宇 ;
张庆雷 ;
王波 ;
王天意 .
中国专利 :CN117542877A ,2024-02-09
[7]
载流子存储型IGBT器件及其制作方法 [P]. 
杨翔宇 ;
张庆雷 ;
王波 ;
王天意 .
中国专利 :CN117542877B ,2024-03-19
[8]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
胡爱斌 ;
朱阳军 ;
卢烁今 ;
王波 ;
吴振兴 ;
田晓丽 ;
赵佳 ;
陆江 .
中国专利 :CN103794645B ,2014-05-14
[9]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
叶俊雅 ;
洪智强 .
中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11
[10]
IGBT器件及其制作方法 [P]. 
潘嘉 ;
张同博 ;
姚一平 ;
杨继业 ;
邢军军 ;
陈冲 ;
黄璇 ;
孙鹏 .
中国专利 :CN113903801A ,2022-01-07