IGBT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111104116.6

申请日：

2021-09-22

公开(公告)号：

CN113571415A

公开(公告)日：

2021-10-29

发明(设计)人：

曹功勋

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29739 H01L2936 H01L21266

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	授权	授权
2021-10-29	公开	公开
2021-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20210922

共 50 条

[1]

IGBT器件及其制作方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

陈琛 .

中国专利 :CN105489644A ,2016-04-13

[2]

IGBT器件及其制作方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711204B ,2017-05-24

[3]

IGBT器件及其制作方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN113851379A ,2021-12-28

[4]

IGBT器件及其制作方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN113851380A ,2021-12-28

[5]

IGBT器件及其制作方法 [P].

谈景飞 ;

朱阳军 ;

王波 ;

张文亮 ;

褚为利 .

中国专利 :CN103681817B ,2014-03-26

[6]

IGBT器件及其制作方法 [P].

胡爱斌 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

王波 ;

吴振兴 ;

田晓丽 ;

赵佳 ;

陆江 .

中国专利 :CN103794645B ,2014-05-14

[7]

IGBT器件及其制作方法 [P].

叶俊雅 ;

洪智强 .

中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11

[8]

IGBT器件及其制作方法 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113903801A ,2022-01-07

[9]

IGBT器件及其制作方法 [P].

吴振兴 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

孙宝刚 .

中国专利 :CN102856193B ,2013-01-02

[10]

IGBT器件及其制作方法 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

井亚会 ;

林茂 ;

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN114678410B ,2025-08-22

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