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IGBT器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411516592.2
申请日：
2024-10-28
公开(公告)号：
CN119403147A
公开(公告)日：
2025-02-07
发明(设计)人：
曹功勋
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H10D12/01
IPC分类号：
H10D12/00
H10D64/27
H10D64/01
H01L21/28
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
陈丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-07 | 公开 | 公开 |
| 2025-02-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/01申请日:20241028 |