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IGBT器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411055990.9
申请日：
2024-08-02
公开(公告)号：
CN118888578B
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
陈为真
申请人：
上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号609室
IPC主分类号：
H10D12/00
IPC分类号：
H10D62/10
H10D12/01
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-01 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-18 | 授权 | 授权 |
| 2024-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240802 |