一种IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610692252.4

申请日：

2016-08-19

公开(公告)号：

CN106252398B

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

赵树峰裴轶

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-B室

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

李丙林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	公开	公开
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101698159931 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2016106922524 申请日:20160819
2019-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04

[2]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069B ,2024-03-15

[3]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[4]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105789289B ,2016-07-20

[5]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105870177A ,2016-08-17

[6]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105870178B ,2016-08-17

[7]

IGBT功率器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

毛振东 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN110137249A ,2019-08-16

[8]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

李伟 ;

高苗苗 ;

段卫宁 ;

梁为住 .

中国专利 :CN118712218B ,2024-11-12

[9]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN119562568A ,2025-03-04

[10]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

丘展富 .

中国专利 :CN121001366A ,2025-11-21

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