一种IGBT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511022446.9

申请日：

2025-07-24

公开(公告)号：

CN121001366A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

丘展富

申请人：

深圳市芯控源电子科技有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道万科城社区新天下百瑞达大厦A座办公楼15F1501号房

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D12/01 H10D62/10 H10D62/60 H10D64/27

代理机构：

深圳力拓知识产权代理有限公司 44313

代理人：

郭清秀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/00申请日:20250724
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04

[2]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102280474A ,2011-12-14

[3]

IGBT器件及其制造方法 [P].

陈为真 .

中国专利 :CN118763102A ,2024-10-11

[4]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

黄继颇 ;

陆均尧 .

中国专利 :CN107994069B ,2024-03-15

[5]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

赵树峰 ;

裴轶 .

中国专利 :CN106252398B ,2016-12-21

[6]

IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

孙鹏 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

姚一平 .

中国专利 :CN114188398A ,2022-03-15

[7]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[8]

一种IGBT器件结构及其制造方法 [P].

程炜涛 ;

程庆彪 ;

潘克学 .

中国专利 :CN111755508A ,2020-10-09

[9]

沟槽IGBT器件及其制造方法 [P].

吴凯 ;

程炜涛 ;

王海军 ;

杨晓鸾 ;

许生根 .

中国专利 :CN106683989A ,2017-05-17

[10]

一种IGBT器件及其制造方法 [P].

兰婉婷 ;

胡强 ;

孟繁新 ;

黄庆波 ;

封明辉 ;

符杰 ;

岳兰 .

中国专利 :CN118335608A ,2024-07-12

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