一种IGBT器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010200705.X
申请日
2010-06-09
公开(公告)号
CN102280474A
公开(公告)日
2011-12-14
发明(设计)人
尹海洲 骆志炯 朱慧珑
申请人
申请人地址
410007 湖南省长沙市天心区韶山南路22号梅岭村38栋303房
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L2704 H01L2941 H01L21331 H01L2177
代理机构
北京市立方律师事务所 11330
代理人
马佑平
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
黄继颇 ;
陆均尧 .
中国专利 :CN107994069A ,2018-05-04
[2]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
丘展富 .
中国专利 :CN121001366A ,2025-11-21
[3]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
陈为真 .
中国专利 :CN118763102A ,2024-10-11
[4]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
黄继颇 ;
陆均尧 .
中国专利 :CN107994069B ,2024-03-15
[5]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
赵树峰 ;
裴轶 .
中国专利 :CN106252398B ,2016-12-21
[6]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
潘嘉 ;
张同博 ;
孙鹏 ;
杨继业 ;
邢军军 ;
陈冲 ;
黄璇 ;
姚一平 .
中国专利 :CN114188398A ,2022-03-15
[7]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
范让萱 ;
缪进征 ;
王鹏飞 ;
刘磊 ;
龚轶 .
中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28
[8]
沟槽IGBT器件及其制造方法 [P]. 
吴凯 ;
程炜涛 ;
王海军 ;
杨晓鸾 ;
许生根 .
中国专利 :CN106683989A ,2017-05-17
[9]
一种IGBT器件及其制造方法 [P]. 
兰婉婷 ;
胡强 ;
孟繁新 ;
黄庆波 ;
封明辉 ;
符杰 ;
岳兰 .
中国专利 :CN118335608A ,2024-07-12
[10]
IGBT器件及其制造方法 [P]. 
潘嘉 ;
杨继业 .
中国专利 :CN118098961A ,2024-05-28