IGBT功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810132904.8

申请日：

2018-02-09

公开(公告)号：

CN110137249A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

刘伟刘磊毛振东袁愿林

申请人：

申请人地址：

211103 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C102-1

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2940 H01L21331

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20180209
2021-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20190816
2019-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT功率器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

毛振东 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN111316445B ,2020-06-19

[2]

低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法 [P].

方伟 ;

周仲建 .

中国专利 :CN103811336A ,2014-05-21

[3]

一种IGBT功率器件制备方法和IGBT功率器件 [P].

卓宁泽 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN120614839A ,2025-09-09

[4]

IGBT器件结构及其制造方法 [P].

徐守一 ;

赖银坤 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN115692472A ,2023-02-03

[5]

IGBT功率器件 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

毛振东 .

中国专利 :CN110970497A ,2020-04-07

[6]

IGBT器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 ;

王鹏飞 ;

刘磊 ;

龚轶 .

中国专利 :CN116936626B ,2025-11-28

[7]

功率器件及其制造方法 [P].

李奎炫 ;

李世炅 ;

尹斗锡 ;

姜秀贤 ;

崔嵘澈 .

中国专利 :CN110718583A ,2020-01-21

[8]

功率器件及其制造方法 [P].

李奎炫 ;

李世炅 ;

尹斗锡 ;

姜秀贤 ;

崔嵘澈 .

中国专利 :CN103378142A ,2013-10-30

[9]

功率器件及其制造方法 [P].

李奎炫 ;

金永哲 ;

朴庆锡 ;

李峰龙 ;

崔嵘澈 .

中国专利 :CN104253155B ,2014-12-31

[10]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

许天赐 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119545849A ,2025-02-28

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