IGBT功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980005569.8

申请日：

2019-01-30

公开(公告)号：

CN111316445B

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

刘伟刘磊毛振东袁愿林

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢405-406室

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

蒋黎丽;胡彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190130
2021-01-22	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/739 变更事项:申请人变更前:苏州东微半导体有限公司变更后:苏州东微半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢405-406室变更后:215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢405-406室
2022-09-27	授权	授权
2020-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT功率器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

毛振东 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN110137249A ,2019-08-16

[2]

低功率应用的IGBT功率器件及其制造方法 [P].

方伟 ;

周仲建 .

中国专利 :CN103811336A ,2014-05-21

[3]

IGBT功率器件及其壳体 [P].

田永革 ;

刘杰 .

中国专利 :CN215220692U ,2021-12-17

[4]

IGBT功率器件及其壳体 [P].

田永革 ;

刘杰 .

中国专利 :CN113270373A ,2021-08-17

[5]

IGBT功率器件 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

毛振东 .

中国专利 :CN110970497A ,2020-04-07

[6]

IGBT功率器件 [P].

田永革 ;

刘杰 .

中国专利 :CN215220693U ,2021-12-17

[7]

IGBT功率器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864234B ,2021-05-28

[8]

IGBT功率器件 [P].

田永革 ;

刘杰 .

中国专利 :CN113270374A ,2021-08-17

[9]

IGBT器件及其制造方法 [P].

陈为真 .

中国专利 :CN118763102A ,2024-10-11

[10]

IGBT器件及其制造方法 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

孙鹏 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

姚一平 .

中国专利 :CN114188398A ,2022-03-15

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