一种IGBT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620786864.5

申请日：

2016-07-25

公开(公告)号：

CN205845958U

公开(公告)日：

2016-12-28

发明(设计)人：

刘广海叶武阳宋宏德邢文超贾国

申请人：

申请人地址：

132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

毕强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOSFET器件 [P].

左义忠 ;

曹务臣 ;

于博伟 ;

贾国 ;

迟永欣 .

中国专利 :CN205845957U ,2016-12-28

[2]

一种IGBT器件的制造方法及其器件 [P].

刘广海 ;

叶武阳 ;

宋宏德 ;

邢文超 ;

贾国 .

中国专利 :CN105977157A ,2016-09-28

[3]

一种IGBT器件 [P].

左义忠 ;

宋宏德 ;

叶武阳 ;

邢文超 ;

明笑平 .

中国专利 :CN205944099U ,2017-02-08

[4]

IGBT器件结构 [P].

温世达 ;

陶少勇 ;

吕磊 ;

曹新明 .

中国专利 :CN210984734U ,2020-07-10

[5]

一种沟槽栅IGBT器件结构 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN209104157U ,2019-07-12

[6]

一种新型轻穿通IGBT器件 [P].

张干 ;

王建全 ;

彭彪 ;

王作义 ;

崔永明 .

中国专利 :CN204668313U ,2015-09-23

[7]

一种SiC IGBT器件 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN213459736U ,2021-06-15

[8]

一种IGBT器件结构 [P].

姜维宾 ;

李圣国 ;

姜志浩 ;

金涛 .

中国专利 :CN218215314U ,2023-01-03

[9]

IGBT器件 [P].

王修中 ;

李强 ;

邢文超 ;

孙喆禹 .

中国专利 :CN209016063U ,2019-06-21

[10]

一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN115497823A ,2022-12-20

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