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带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110897280.0
申请日：
2021-08-05
公开(公告)号：
CN113782585B
公开(公告)日：
2024-01-23
发明(设计)人：
颜树范
刘须电
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/423
H01L21/336
H01L29/78
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-23 | 授权 | 授权 |