一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310357719.X

申请日：

2023-04-06

公开(公告)号：

CN116666453B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

涂长招王力涂金福李敏赖保良

申请人：

福建康博电子技术股份有限公司

申请人地址：

364000 福建省龙岩市新罗区东肖镇东华社区龙腾南路14号珠江大厦702-15室

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

黄一敏

法律状态：

授权

国省代码：

山西省临汾市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26

[2]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105870022A ,2016-08-17

[3]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119300449A ,2025-01-10

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

骆菲 .

中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16

[5]

带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN113782585A ,2021-12-10

[6]

带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN113782585B ,2024-01-23

[7]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[8]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17

[9]

屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 [P].

潘光燃 .

中国专利 :CN110429033A ,2019-11-08

[10]

屏蔽栅沟槽栅MOSFET器件及制造方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 ;

曾帮远 .

中国专利 :CN115084270A ,2022-09-20

← 1 2 3 4 5 →