一种高速开关双槽SiC MOSFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510327103.7

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120264816A

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

张旭芳焦硕沛李明坤张雪恰张静

申请人：

北方工业大学

申请人地址：

100144 北京市石景山区晋元庄路5号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380

代理人：

刘加龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250319
2025-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种防过冲高速开关双槽SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

张旭芳 ;

王士超 ;

鲁世豪 ;

李明坤 ;

焦硕沛 ;

张静 .

中国专利 :CN120091600A ,2025-06-03

[2]

一种双槽小尺寸SiC MOSFET器件结构及其制备方法 [P].

张旭芳 ;

鲁世豪 ;

王士超 ;

李明坤 ;

焦硕沛 ;

张静 .

中国专利 :CN119855193A ,2025-04-18

[3]

一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119866038B ,2025-07-01

[4]

一种具有浅P+结构的SiC MOSFET器件及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119866038A ,2025-04-22

[5]

一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120882051A ,2025-10-31

[6]

一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119384023A ,2025-01-28

[7]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

胡彦飞 ;

张鑫鑫 ;

党悦心 ;

杨宏 ;

马云诚 .

中国专利 :CN119630032A ,2025-03-14

[8]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

郑文韬 ;

雷鸣 .

中国专利 :CN119584613A ,2025-03-07

[9]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

盛况 ;

任娜 ;

冉飞荣 ;

沈华 ;

刘志红 .

中国专利 :CN115241282B ,2023-01-10

[10]

一种SiC MOSFET器件及其制备方法 [P].

朱洋洋 ;

张朝阳 ;

陈桥梁 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN120583704B ,2025-10-24

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