用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910677844.2

申请日：

2019-07-25

公开(公告)号：

CN110544625B

公开(公告)日：

2019-12-06

发明(设计)人：

马晓华张鹏孙保全宓珉翰

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

张捷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	公开	公开
2019-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190725
2022-04-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783A ,2025-09-30

[2]

一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120730783B ,2025-12-02

[3]

自对准沟道掺杂抑制CMOS短沟道效应及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427062A ,2012-04-25

[4]

反向短沟道效应的减少 [P].

J·S·布朗 ;

S·S·弗卡伊 ;

小R·J·高蒂尔 ;

D·W·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN1319880A ,2001-10-31

[5]

抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

冯江旭 ;

陈桥梁 ;

杨乐 ;

王钰 ;

麻泽众 .

中国专利 :CN119767742A ,2025-04-04

[6]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[7]

用于减少短沟道效应的凹陷沟道快闪架构 [P].

W·郑 ;

M·伦道夫 .

中国专利 :CN1868069A ,2006-11-22

[8]

用于防止或减小短沟道效应的晶体管及其制造方法 [P].

卢俓奉 ;

朱永桓 .

中国专利 :CN101740613A ,2010-06-16

[9]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[10]

一种抑制PMOSFET器件短沟道效应的方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN105742187A ,2016-07-06

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