用于防止或减小短沟道效应的晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910006030.2

申请日：

2009-01-22

公开(公告)号：

CN101740613A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

卢俓奉朱永桓

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708224805 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2009100060302 申请公布日:20100616
2010-06-16	公开	公开
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005253725 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2009100060302 申请日:20090122

共 50 条

[1]

一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN101030602B ,2007-09-05

[2]

降低MOS晶体管短沟道效应的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104465383B ,2015-03-25

[3]

无窄沟道效应的晶体管及其形成方法 [P].

金奇南 ;

李宰圭 ;

沈载勋 .

中国专利 :CN1131558C ,2000-01-12

[4]

一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法 [P].

胡君 .

中国专利 :CN113506741A ,2021-10-15

[5]

具有较好短沟道效应控制的MOS晶体管的制造方法 [P].

马库斯·穆勒 ;

亚历山大·蒙东特 ;

阿尔诺·波亚德巴士奎 .

中国专利 :CN101313386B ,2008-11-26

[6]

在晶体管器件中利用反向短沟道效应的装置和方法 [P].

T·亚伦伯 .

中国专利 :CN101467255A ,2009-06-24

[7]

一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979782A ,2007-06-13

[8]

用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺 [P].

马晓华 ;

张鹏 ;

孙保全 ;

宓珉翰 .

中国专利 :CN110544625B ,2019-12-06

[9]

场效应型晶体管及其制造方法 [P].

木下敦宽 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100472811C ,2005-03-09

[10]

场效应型晶体管及其制造方法 [P].

木下敦宽 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN101093857A ,2007-12-26

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