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一种改善PMOS晶体管短沟道效应的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110669669.X
申请日：
2021-06-17
公开(公告)号：
CN113506741A
公开(公告)日：
2021-10-15
发明(设计)人：
胡君
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L29423
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-15 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210617 |