场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110110414.X

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN114823860B

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

王明湘陈乐凯张冬利王槐生

申请人：

苏州大学

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号

IPC主分类号：

H10D62/13

IPC分类号：

H10D64/23 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

潘时伟

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法 [P].

王明湘 ;

陈乐凯 ;

张冬利 ;

王槐生 .

中国专利 :CN114823860A ,2022-07-29

[2]

场效应晶体管器件 [P].

王明湘 ;

陈乐凯 ;

张冬利 ;

王槐生 .

中国专利 :CN115775827B ,2025-06-17

[3]

场效应晶体管 [P].

久保昌彦 .

中国专利 :CN103681857A ,2014-03-26

[4]

制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管 [P].

欧阳齐庆 ;

赵泽安 .

中国专利 :CN100397596C ,2005-02-02

[5]

场效应晶体管器件 [P].

马培培 ;

郑军 ;

成步文 .

中国专利 :CN111341840A ,2020-06-26

[6]

场效应晶体管器件 [P].

萨米尔·穆胡比 .

中国专利 :CN114902423A ,2022-08-12

[7]

场效应晶体管器件 [P].

柳志达 .

中国专利 :CN102386170A ,2012-03-21

[8]

场效应晶体管器件 [P].

馬場貴博 ;

坂本孝一 ;

三上重幸 ;

松崎宏泰 .

中国专利 :CN1271724C ,2003-09-10

[9]

应变沟道的场效应晶体管 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 ;

乔治斯·威廉提斯 ;

李宗霖 ;

袁锋 .

中国专利 :CN108281422B ,2018-07-13

[10]

应变沟道的场效应晶体管 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 ;

乔治斯·威廉提斯 ;

李宗霖 ;

袁锋 .

中国专利 :CN102832236A ,2012-12-19

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