应变沟道的场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810068843.3

申请日：

2012-03-09

公开(公告)号：

CN108281422B

公开(公告)日：

2018-07-13

发明(设计)人：

马克·范·达尔戈本·多恩伯斯乔治斯·威廉提斯李宗霖袁锋

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2910 H01L29165 H01L2978 H01L218238 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	授权	授权
2018-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20120309
2018-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

应变沟道的场效应晶体管 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 ;

乔治斯·威廉提斯 ;

李宗霖 ;

袁锋 .

中国专利 :CN102832236A ,2012-12-19

[2]

应变沟道鳍片场效应晶体管 [P].

S·达克什纳摩西 ;

J·X·安 ;

Z·克瑞沃卡皮奇 ;

汪海宏 ;

俞斌 .

中国专利 :CN1742375A ,2006-03-01

[3]

场效应晶体管中的沟道应变设计 [P].

T·迪勒 ;

R·克里希纳萨米 ;

J-P·韩 ;

E·德姆 .

中国专利 :CN101796641A ,2010-08-04

[4]

场效应晶体管 [P].

松永高治 ;

大田一树 ;

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

分岛彰男 ;

安藤裕二 ;

宫本广信 ;

井上隆 ;

村濑康裕 .

中国专利 :CN101331599A ,2008-12-24

[5]

制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管 [P].

欧阳齐庆 ;

赵泽安 .

中国专利 :CN100397596C ,2005-02-02

[6]

具有应变沟道的鳍式场效应晶体管 [P].

亨利·K·乌托摩 ;

R·A·维嘉 ;

允·Y·王 .

中国专利 :CN107644911A ,2018-01-30

[7]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[8]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[9]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

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