场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010178281.1

申请日：

2010-05-11

公开(公告)号：

CN101894863B

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

竹中功麻埜和则石仓幸治

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2916 H01L2910 H03F320

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/778 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2020-05-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20100511 授权公告日:20131204 终止日期:20190511
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101167109641 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2010101782811 申请日:20100511
2013-12-04	授权	授权
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[2]

场效应晶体管 [P].

宫本广信 ;

安藤裕二 ;

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

分岛彰男 ;

笠原健资 ;

村濑康裕 ;

松永高治 ;

山之口胜己 ;

岛胁秀德 .

中国专利 :CN101976686A ,2011-02-16

[3]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[4]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[5]

场效应晶体管 [P].

宫本广信 ;

安藤裕二 ;

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

分岛彰男 ;

笠原健资 ;

村濑康裕 ;

松永高治 ;

山之口胜己 ;

岛胁秀德 .

中国专利 :CN101238561B ,2008-08-06

[6]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[7]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[8]

场效应晶体管 [P].

安藤裕二 ;

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

井上隆 ;

村濑康裕 ;

大田一树 ;

分岛彰男 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN101416290B ,2009-04-22

[9]

场效应晶体管 [P].

哈姆扎·耶尔马兹 ;

丹尼尔·卡拉菲特 ;

史蒂文·P·萨普 ;

内森·克拉夫特 ;

阿肖克·沙拉 .

中国专利 :CN103094348B ,2013-05-08

[10]

场效应晶体管 [P].

中山达峰 ;

安藤裕二 ;

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

村濑康裕 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22

← 1 2 3 4 5 →