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场效应晶体管
[P].
李珉贤
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李珉贤
;
薛珉洙
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
薛珉洙
;
赵连柱
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
赵连柱
;
申铉振
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
申铉振
.
韩国专利 :CN113497138B ,2025-12-09 [2]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06 [3]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26 [4]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN101506958B ,2009-08-12 [5]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31 [6]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21 [7]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10 [8]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN112753104A ,2021-05-04 [9]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN103094348B ,2013-05-08 [10]
场效应晶体管
[P].
中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27