场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN200680055684.9
申请日
2006-09-20
公开(公告)号
CN101506958B
公开(公告)日
2009-08-12
发明(设计)人
多木俊裕 冈本直哉
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21338
IPC分类号
H01L29812 H01L29778
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
黄纶伟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
井腰文智 ;
桥诘真吾 ;
引田正洋 ;
山际优人 ;
柳原学 .
中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21
[2]
场效应晶体管 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12
[3]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
户塚正裕 .
中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06
[4]
场效应晶体管 [P]. 
永久哲三 ;
福见公孝 ;
吐田真一 .
中国专利 :CN107004605A ,2017-08-01
[5]
场效应晶体管 [P]. 
按田义治 ;
石田秀俊 ;
上田哲三 .
中国专利 :CN102239550A ,2011-11-09
[6]
场效应晶体管 [P]. 
中山达峰 ;
安藤裕二 ;
宫本广信 ;
冈本康宏 ;
井上隆 ;
大田一树 ;
村濑康裕 ;
黑田尚孝 .
中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22
[7]
场效应晶体管 [P]. 
永久哲三 ;
福见公孝 ;
吐田真一 .
中国专利 :CN107112240A ,2017-08-29
[8]
场效应晶体管 [P]. 
池田圭司 ;
入沢寿史 ;
沼田敏典 ;
手塚勉 .
中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26
[9]
场效应晶体管 [P]. 
田中健一郎 ;
上田哲三 ;
松尾尚庆 ;
引田正洋 .
中国专利 :CN102224581A ,2011-10-19
[10]
场效应晶体管 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
韩国专利 :CN113497138B ,2025-12-09