场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580068067.1

申请日：

2015-08-21

公开(公告)号：

CN107112240A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

永久哲三福见公孝吐田真一

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L21336 H01L21337 H01L2906 H01L2941 H01L29778 H01L2978 H01L29808 H01L29812

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749371071 IPC(主分类):H01L 21/338 专利申请号:2015800680671 申请日:20150821
2020-10-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/338 申请公布日:20170829

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

永久哲三 ;

福见公孝 ;

吐田真一 .

中国专利 :CN107004605A ,2017-08-01

[2]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[3]

场效应晶体管 [P].

按田义治 ;

石田秀俊 ;

上田哲三 .

中国专利 :CN102239550A ,2011-11-09

[4]

场效应晶体管 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN101506958B ,2009-08-12

[5]

场效应晶体管 [P].

田中健一郎 ;

上田哲三 ;

松尾尚庆 ;

引田正洋 .

中国专利 :CN102224581A ,2011-10-19

[6]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[7]

场效应晶体管 [P].

中山达峰 ;

安藤裕二 ;

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

村濑康裕 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22

[8]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[9]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

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