场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN200980148577.4
申请日
2009-11-12
公开(公告)号
CN102239550A
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
按田义治 石田秀俊 上田哲三
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L21338
IPC分类号
H01L2941 H01L29778 H01L29812
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
徐殿军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
永久哲三 ;
福见公孝 ;
吐田真一 .
中国专利 :CN107004605A ,2017-08-01
[2]
场效应晶体管 [P]. 
井腰文智 ;
桥诘真吾 ;
引田正洋 ;
山际优人 ;
柳原学 .
中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21
[3]
场效应晶体管 [P]. 
永久哲三 ;
福见公孝 ;
吐田真一 .
中国专利 :CN107112240A ,2017-08-29
[4]
场效应晶体管 [P]. 
多木俊裕 ;
冈本直哉 .
中国专利 :CN101506958B ,2009-08-12
[5]
场效应晶体管 [P]. 
田中健一郎 ;
上田哲三 ;
松尾尚庆 ;
引田正洋 .
中国专利 :CN102224581A ,2011-10-19
[6]
场效应晶体管 [P]. 
胁田尚英 ;
田中健一郎 ;
石田昌宏 ;
田村聪之 ;
柴田大辅 .
中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10
[7]
场效应晶体管 [P]. 
中山达峰 ;
安藤裕二 ;
宫本广信 ;
冈本康宏 ;
井上隆 ;
大田一树 ;
村濑康裕 ;
黑田尚孝 .
中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22
[8]
场效应晶体管 [P]. 
尾藤康则 ;
安藤裕二 .
中国专利 :CN1306311A ,2001-08-01
[9]
场效应晶体管 [P]. 
久保昌彦 .
中国专利 :CN103681857A ,2014-03-26
[10]
场效应晶体管 [P]. 
G·恩德斯 ;
B·菲斯彻 ;
H·施内德 ;
P·沃伊特 .
中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27