场效应晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN201010003836.9
申请日
2007-04-30
公开(公告)号
CN101853879B
公开(公告)日
2010-10-06
发明(设计)人
天清宗山 户塚正裕
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
何欣亭;李家麟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
池田圭司 ;
入沢寿史 ;
沼田敏典 ;
手塚勉 .
中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26
[2]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
天清宗山 ;
户塚正裕 .
中国专利 :CN101162731A ,2008-04-16
[3]
场效应晶体管 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12
[4]
场效应晶体管 [P]. 
井腰文智 ;
桥诘真吾 ;
引田正洋 ;
山际优人 ;
柳原学 .
中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21
[5]
场效应晶体管 [P]. 
胁田尚英 ;
田中健一郎 ;
石田昌宏 ;
田村聪之 ;
柴田大辅 .
中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10
[6]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27
[7]
场效应晶体管 [P]. 
中山达峰 ;
安藤裕二 ;
宫本广信 ;
冈本康宏 ;
井上隆 ;
大田一树 ;
村濑康裕 ;
黑田尚孝 .
中国专利 :CN101416289A ,2009-04-22
[8]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13
[9]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17
[10]
场效应晶体管 [P]. 
多木俊裕 ;
冈本直哉 .
中国专利 :CN101506958B ,2009-08-12