无窄沟道效应的晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99109408.5

申请日：

1999-06-29

公开(公告)号：

CN1131558C

公开(公告)日：

2000-01-12

发明(设计)人：

金奇南李宰圭沈载勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;谷惠敏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:19990629 授权公告日:20031217
2000-01-12	公开	公开
2003-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

减少窄沟道效应的工艺方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956534A ,2013-03-06

[2]

一种缓解MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979781A ,2007-06-13

[3]

一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1979782A ,2007-06-13

[4]

用于防止或减小短沟道效应的晶体管及其制造方法 [P].

卢俓奉 ;

朱永桓 .

中国专利 :CN101740613A ,2010-06-16

[5]

改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法 [P].

陈亮 ;

杨林宏 .

中国专利 :CN102110636A ,2011-06-29

[6]

分离沟道晶体管及其形成方法 [P].

克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ;

戈本·多恩伯斯 ;

马提亚斯·帕斯拉克 .

中国专利 :CN103137696B ,2013-06-05

[7]

分段沟道晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104064466B ,2014-09-24

[8]

埋藏沟道晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

克里夫·德劳利 ;

辜良智 ;

江宇雷 ;

余达强 .

中国专利 :CN106935646A ,2017-07-07

[9]

分段沟道晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104078356A ,2014-10-01

[10]

一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN101030602B ,2007-09-05

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