埋藏沟道晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511021410.5

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN106935646A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

邱慈云克里夫·德劳利辜良智江宇雷余达强

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效申请日:20151230 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738367081 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015110214105
2017-07-07	公开	公开
2020-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[2]

分段沟道晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104064466B ,2014-09-24

[3]

分段沟道晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104078356A ,2014-10-01

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

常建光 .

中国专利 :CN103632968A ,2014-03-12

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

何永根 .

中国专利 :CN103915341B ,2014-07-09

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