晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210299452.5

申请日：

2012-08-21

公开(公告)号：

CN103632968A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

常建光

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581316542 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102994525 申请日:20120821
2016-10-05	授权	授权
2014-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

何永根 .

中国专利 :CN103915341B ,2014-07-09

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[6]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

黄子伦 ;

许清秀 .

中国专利 :CN106486369B ,2017-03-08

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN106409678A ,2017-02-15

[10]

埋藏沟道晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

克里夫·德劳利 ;

辜良智 ;

江宇雷 ;

余达强 .

中国专利 :CN106935646A ,2017-07-07

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