晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510536211.1

申请日：

2015-08-27

公开(公告)号：

CN106486369B

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

黄子伦许清秀

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710763183 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015105362111 申请日:20150827
2017-03-08	公开	公开
2020-04-07	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

常建光 .

中国专利 :CN103632968A ,2014-03-12

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN106409678A ,2017-02-15

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

殷华湘 .

中国专利 :CN103871890A ,2014-06-18

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