晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210256297.9

申请日：

2012-07-23

公开(公告)号：

CN102779843A

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

楼颖颖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584057996 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102562979 申请日:20120723
2012-11-14	公开	公开
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700517846 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102562979 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408

共 50 条

[1]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

常建光 .

中国专利 :CN103632968A ,2014-03-12

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[5]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102856204A ,2013-01-02

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064463B ,2014-09-24

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064464A ,2014-09-24

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

何永根 .

中国专利 :CN103915341B ,2014-07-09

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