MOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510373347.5

申请日：

2015-06-30

公开(公告)号：

CN106328529A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-30	授权	授权
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702028884 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015103733475 申请日:20150630
2017-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106486373A ,2017-03-08

[2]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

[3]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

宋慧芳 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

王海强 .

中国专利 :CN104810291A ,2015-07-29

[4]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

殷华湘 .

中国专利 :CN103871890A ,2014-06-18

[5]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104124167A ,2014-10-29

[6]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106206719B ,2016-12-07

[7]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102487018B ,2012-06-06

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

虞肖鹏 .

中国专利 :CN104425271A ,2015-03-18

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

张莉菲 .

中国专利 :CN101740389A ,2010-06-16

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

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