MOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310156942.4

申请日：

2013-04-28

公开(公告)号：

CN104124167A

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20141029
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589564627 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013101569424 申请日:20130428
2014-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377923A ,2013-10-30

[2]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106486373A ,2017-03-08

[3]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[4]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

宋慧芳 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

王海强 .

中国专利 :CN104810291A ,2015-07-29

[5]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106206719B ,2016-12-07

[6]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

徐依协 .

中国专利 :CN103839813A ,2014-06-04

[7]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102856203B ,2013-01-02

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101459082B ,2009-06-17

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

施雪捷 .

中国专利 :CN101789447A ,2010-07-28

← 1 2 3 4 5 →