MOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094476.6

申请日：

2007-12-13

公开(公告)号：

CN101459082B

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	授权	授权
2009-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102487018B ,2012-06-06

[2]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

徐依协 .

中国专利 :CN103839813A ,2014-06-04

[3]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106486373A ,2017-03-08

[4]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104124167A ,2014-10-29

[5]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

[6]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[7]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

宋慧芳 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

王海强 .

中国专利 :CN104810291A ,2015-07-29

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106206719B ,2016-12-07

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

施雪捷 .

中国专利 :CN101789447A ,2010-07-28

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

殷华湘 .

中国专利 :CN103871890A ,2014-06-18

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