晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310064001.8

申请日：

2013-02-28

公开(公告)号：

CN104022035B

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

邓浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L2951

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	公开	公开
2016-08-31	授权	授权
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587257851 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013100640018 申请日:20130228

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

常建光 .

中国专利 :CN103632968A ,2014-03-12

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[7]

CMOS晶体管及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN104810368A ,2015-07-29

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN107039271A ,2017-08-11

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104064464A ,2014-09-24

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

何永根 .

中国专利 :CN103915341B ,2014-07-09

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