MOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810202701.8

申请日：

2008-11-13

公开(公告)号：

CN101740389A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

张莉菲

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L29423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2012-06-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101382729051 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008102027018 公开日:20100616
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005253793 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008102027018 申请日:20081113

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

宋慧芳 ;

程勇 ;

曹国豪 ;

王海强 .

中国专利 :CN104810291A ,2015-07-29

[2]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

杨达 ;

赵超 .

中国专利 :CN102544098B ,2012-07-04

[3]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106328529A ,2017-01-11

[4]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

殷华湘 .

中国专利 :CN103871890A ,2014-06-18

[5]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102487018B ,2012-06-06

[6]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

虞肖鹏 .

中国专利 :CN104425271A ,2015-03-18

[7]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

徐依协 .

中国专利 :CN103839813A ,2014-06-04

[8]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106486373A ,2017-03-08

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104124167A ,2014-10-29

[10]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101459082B ,2009-06-17

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