一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211323490.X

申请日：

2022-10-27

公开(公告)号：

CN117954476B

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

魏进崔家玮杨俊杰吴妍霖

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10D62/17

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/47 H10D62/85

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

李稚婷

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/10申请日:20221027
2025-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

魏进 ;

崔家玮 ;

杨俊杰 ;

吴妍霖 .

中国专利 :CN117954476A ,2024-04-30

[2]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[3]

一种多沟道HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏 ;

贾卉悦 ;

张濛 ;

祝杰杰 ;

杨眉 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120711766A ,2025-09-26

[4]

一种GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

陈梅芹 ;

麻胜恒 ;

汪连山 ;

陈福鑫 ;

赵柏聿 .

中国专利 :CN120786925A ,2025-10-14

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[6]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[7]

p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

张鹏浩 ;

王路宇 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

王强 ;

潘茂林 ;

黄海 ;

黄自强 ;

谢欣灵 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116246957B ,2025-11-21

[8]

一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN107240605A ,2017-10-10

[9]

一种多沟道GaN HEMT器件及制作方法 [P].

高旭 .

中国专利 :CN115332322A ,2022-11-11

[10]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

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