双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411209760.3

申请日：

2024-08-30

公开(公告)号：

CN119092541A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

苏军高天

申请人：

远山新材料科技有限公司

申请人地址：

272000 山东省济宁市高新区海川路9号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/10 H01L21/335 H01L29/45

代理机构：

济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254

代理人：

葛玉彬

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240830

共 50 条

[1]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[2]

双沟道HEMT器件及其制造方法 [P].

F·尤克拉诺 ;

A·齐尼 .

中国专利 :CN107452791A ,2017-12-08

[3]

基于双沟道栅的GaN器件及其制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

郑礼锭 ;

蔡泉福 .

中国专利 :CN111710650A ,2020-09-25

[4]

一种高耐压GaN HEMT器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117423724A ,2024-01-19

[5]

GaN HEMT器件及其制造方法 [P].

苏军 ;

高天 .

中国专利 :CN120152332A ,2025-06-13

[6]

一种高耐压GaN HEMT器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117423724B ,2024-12-24

[7]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[8]

一种多沟道GaN HEMT器件及制作方法 [P].

高旭 .

中国专利 :CN115332322A ,2022-11-11

[9]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689B ,2025-03-18

[10]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689A ,2024-05-10

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