双沟道HEMT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611052945.3

申请日：

2016-11-25

公开(公告)号：

CN107452791A

公开(公告)日：

2017-12-08

发明(设计)人：

F·尤克拉诺 A·齐尼

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;吕世磊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	授权	授权
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20161125
2017-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[2]

双沟道FinFET器件及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106803517B ,2017-06-06

[3]

双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法 [P].

苏军 ;

高天 .

中国专利 :CN119092541A ,2024-12-06

[4]

HEMT器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

王倩 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115663019A ,2023-01-31

[5]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101604704A ,2009-12-16

[6]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101320751A ,2008-12-10

[7]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN103441144B ,2013-12-11

[8]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张乃千 .

中国专利 :CN101320750A ,2008-12-10

[9]

基于双沟道栅的GaN器件及其制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

郑礼锭 ;

蔡泉福 .

中国专利 :CN111710650A ,2020-09-25

[10]

HEMT器件及其制造方法 [P].

张力 ;

赵起越 ;

柏鹏翔 ;

王霄 .

中国专利 :CN120321977A ,2025-07-15

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