双沟道FinFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510844310.6

申请日：

2015-11-26

公开(公告)号：

CN106803517B

公开(公告)日：

2017-06-06

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L2331 H01L2156

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

金华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	公开	公开
2017-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101730171208 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015108443106 申请日:20151126
2019-12-20	授权	授权

共 50 条

[1]

双沟道HEMT器件及其制造方法 [P].

F·尤克拉诺 ;

A·齐尼 .

中国专利 :CN107452791A ,2017-12-08

[2]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[3]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[4]

双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片 [P].

陈燕宁 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

董广智 ;

付振 ;

刘芳 ;

余山 ;

郁文 ;

邓永峰 ;

王凯 .

中国专利 :CN114937695A ,2022-08-23

[5]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103050530B ,2013-04-17

[6]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[7]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103035713A ,2013-04-10

[8]

FINFET器件及其制造方法 [P].

李彥儒 ;

李启弘 ;

郭建亿 ;

丁姮彣 ;

戴荣吉 ;

舒丽丽 ;

萧扬泰 .

中国专利 :CN106531804A ,2017-03-22

[9]

FinFET器件及其制造方法 [P].

陈祈铭 ;

喻中一 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103066123A ,2013-04-24

[10]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘洋 ;

杨渝书 ;

耿金鹏 .

中国专利 :CN117672968A ,2024-03-08

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