FinFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310580828.4

申请日：

2013-11-18

公开(公告)号：

CN103928518A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

江国诚黄俊嘉王昭雄刘继文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	公开	公开
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584395274 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013105808284 申请日:20131118
2017-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

FINFET器件及其制造方法 [P].

李彥儒 ;

李启弘 ;

郭建亿 ;

丁姮彣 ;

戴荣吉 ;

舒丽丽 ;

萧扬泰 .

中国专利 :CN106531804A ,2017-03-22

[2]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[3]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢彦莹 ;

吴集锡 ;

丁国强 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN103474397A ,2013-12-25

[4]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

禹国宾 ;

林静 .

中国专利 :CN104425268A ,2015-03-18

[5]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104779284B ,2015-07-15

[6]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104681607A ,2015-06-03

[7]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

孙浩 ;

李勇 ;

张帅 .

中国专利 :CN104882379A ,2015-09-02

[8]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103050530B ,2013-04-17

[9]

FINFET器件及其制造方法 [P].

彭彦明 ;

刘继文 ;

黄信杰 ;

许一如 ;

曾鸿辉 .

中国专利 :CN106505104B ,2017-03-15

[10]

FinFET器件及其制造方法 [P].

刘继文 ;

王昭雄 .

中国专利 :CN103035713A ,2013-04-10

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