一种FinFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310631893.5

申请日：

2013-11-29

公开(公告)号：

CN104681607A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615759469 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013106318935 申请日:20131129
2017-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

周飞 .

中国专利 :CN105845573A ,2016-08-10

[2]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105097516A ,2015-11-25

[3]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105336609B ,2016-02-17

[4]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 ;

陈林林 .

中国专利 :CN105097515A ,2015-11-25

[5]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

禹国宾 ;

林静 .

中国专利 :CN104425268A ,2015-03-18

[6]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104779284B ,2015-07-15

[7]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[8]

一种FinFET半导体器件及其制备方法 [P].

黄秋铭 .

中国专利 :CN105226098B ,2016-01-06

[9]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[10]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

孙浩 ;

李勇 ;

张帅 .

中国专利 :CN104882379A ,2015-09-02

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