一种FinFET器件及其制造方法、电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410171113.8

申请日：

2014-04-25

公开(公告)号：

CN105097515A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

赵海陈林林

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638506255 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014101711138 申请日:20140425
2018-05-08	授权	授权
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105336609B ,2016-02-17

[2]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105097516A ,2015-11-25

[3]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

周飞 .

中国专利 :CN105845573A ,2016-08-10

[4]

一种FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵海 ;

毛刚 .

中国专利 :CN105097517A ,2015-11-25

[5]

一种FinFET器件及其制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104681607A ,2015-06-03

[6]

一种半导体器件及其制造方法、电子装置 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106558528A ,2017-04-05

[7]

一种FinFET器件及其制作方法和电子装置 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN105428238A ,2016-03-23

[8]

一种FinFET器件及制备方法、电子装置 [P].

王彦 ;

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107622948A ,2018-01-23

[9]

一种FinFET半导体器件及其制备方法 [P].

黄秋铭 .

中国专利 :CN105226098B ,2016-01-06

[10]

一种石墨烯FinFET器件及其制造方法、电子装置 [P].

张海洋 ;

陈卓凡 .

中国专利 :CN107706240A ,2018-02-16

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