制造FINFET器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310035323.X

申请日：

2013-01-29

公开(公告)号：

CN103474397A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

谢彦莹吴集锡丁国强陈光鑫

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	授权	授权
2013-12-25	公开	公开
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564932698 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:201310035323X 申请日:20130129

共 50 条

[1]

FinFET器件及其制造方法 [P].

江国诚 ;

黄俊嘉 ;

王昭雄 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103928518A ,2014-07-16

[2]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[3]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[4]

多高度FinFET器件的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103594344A ,2014-02-19

[5]

一种FinFET器件的制造方法 [P].

林艺辉 ;

宋伟基 ;

张琴 .

中国专利 :CN104979209A ,2015-10-14

[6]

一种FinFET器件的制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107564817B ,2018-01-09

[7]

FINFET器件及其制造方法 [P].

李彥儒 ;

李启弘 ;

郭建亿 ;

丁姮彣 ;

戴荣吉 ;

舒丽丽 ;

萧扬泰 .

中国专利 :CN106531804A ,2017-03-22

[8]

FinFET器件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

江国诚 ;

张广兴 ;

吴志强 .

中国专利 :CN103928517A ,2014-07-16

[9]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[10]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659B ,2025-02-07

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