FinFET器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111643303.1

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114334659B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

刘洋

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/62

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659A ,2022-04-12

[2]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[3]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[4]

制造FinFET器件的方法 [P].

孙诗平 ;

王菘豊 ;

林经祥 ;

陈能国 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972097B ,2014-08-06

[5]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[6]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 ;

杨渝书 ;

耿金鹏 ;

黄豪俊 .

中国专利 :CN117712151A ,2024-03-15

[7]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢彦莹 ;

吴集锡 ;

丁国强 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN103474397A ,2013-12-25

[8]

FinFET器件的制造方法 [P].

童浩 ;

曾以志 ;

陈甜 .

中国专利 :CN104752217B ,2017-12-01

[9]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103295899B ,2013-09-11

[10]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103123899A ,2013-05-29

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