FinFET器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310745766.8

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN104752217B

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

童浩曾以志陈甜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618651295 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013107457668 申请日:20131230

共 50 条

[1]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103123900A ,2013-05-29

[2]

FinFET器件的制造方法 [P].

黄敬勇 ;

王彦 ;

肖芳元 .

中国专利 :CN107706110B ,2018-02-16

[3]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[4]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659B ,2025-02-07

[5]

制造FinFET器件的方法 [P].

孙诗平 ;

王菘豊 ;

林经祥 ;

陈能国 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103972097B ,2014-08-06

[6]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN114334659A ,2022-04-12

[7]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[8]

FinFET器件的制造方法 [P].

刘洋 ;

杨渝书 ;

耿金鹏 ;

黄豪俊 .

中国专利 :CN117712151A ,2024-03-15

[9]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢彦莹 ;

吴集锡 ;

丁国强 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN103474397A ,2013-12-25

[10]

FinFET器件制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103295899B ,2013-09-11

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