制造FinFET器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210580950.7

申请日：

2012-12-27

公开(公告)号：

CN103681347B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

巫凯雄曾博瑞简珮珊曾伟雄

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581692639 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012105809507 申请日:20121227
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[2]

制造FINFET器件的方法 [P].

林志翰 ;

林志忠 ;

张铭庆 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN106206308A ,2016-12-07

[3]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢铭峰 ;

谢弘璋 ;

吴汉威 .

中国专利 :CN104658971B ,2015-05-27

[4]

用于FinFET器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 .

中国专利 :CN105097546A ,2015-11-25

[5]

FinFET器件和方法 [P].

胡嘉欣 ;

张胜杰 .

中国专利 :CN104766886A ,2015-07-08

[6]

制造FINFET器件的方法 [P].

谢彦莹 ;

吴集锡 ;

丁国强 ;

陈光鑫 .

中国专利 :CN103474397A ,2013-12-25

[7]

包括FinFET的半导体器件及其制造方法 [P].

黄俊程 ;

徐梓翔 ;

许加融 ;

杨丰诚 ;

蔡腾群 .

中国专利 :CN106206730B ,2016-12-07

[8]

多高度FinFET器件的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103594344A ,2014-02-19

[9]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[10]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

蔡邦彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN105374874B ,2016-03-02

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