FinFET器件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410266062.7

申请日：

2014-06-13

公开(公告)号：

CN104766886A

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

胡嘉欣张胜杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619258963 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102660627 申请日:20140613
2018-01-26	授权	授权
2015-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于FinFET器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 .

中国专利 :CN105097546A ,2015-11-25

[2]

形成半导体器件和FinFET器件的方法及FinFET器件 [P].

马丁·克里斯多夫·霍兰德 ;

马提亚斯·帕斯拉克 ;

查理德·肯尼斯·奥克斯兰德 .

中国专利 :CN104916541B ,2015-09-16

[3]

FinFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105023844A ,2015-11-04

[4]

制造FinFET器件的方法 [P].

巫凯雄 ;

曾博瑞 ;

简珮珊 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN103681347B ,2014-03-26

[5]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[6]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[7]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

李宜静 ;

吴政宪 ;

柯志欣 ;

蔡邦彦 ;

李资良 .

中国专利 :CN105374874B ,2016-03-02

[8]

SRAM FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105023923A ,2015-11-04

[9]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047710B ,2015-11-11

[10]

SRAM FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 ;

卡洛斯·H.·迪亚兹 .

中国专利 :CN105322014A ,2016-02-10

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