用于FinFET器件的结构和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410796618.3

申请日：

2014-12-18

公开(公告)号：

CN105374874B

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

李宜静吴政宪柯志欣蔡邦彦李资良

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652505497 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014107966183 申请日:20141218
2018-06-05	授权	授权
2016-03-02	公开	公开

共 50 条

[1]

用于FinFET器件的结构和方法 [P].

尤志豪 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN105280558A ,2016-01-27

[2]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047710B ,2015-11-11

[3]

用于FinFET器件的鳍结构 [P].

乔治斯·威廉提斯 ;

马克·范·达尔 ;

布兰丁·迪里耶 ;

查理德·奥克斯兰德 .

中国专利 :CN103367440A ,2013-10-23

[4]

用于FINFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105047711A ,2015-11-11

[5]

FinFET器件的结构和方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

张智胜 ;

吴志强 .

中国专利 :CN105023844A ,2015-11-04

[6]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

刘致为 ;

杜文仙 ;

黄仕贤 ;

彭成毅 ;

张智胜 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN106206577A ,2016-12-07

[7]

制造FinFET器件的方法 [P].

王志豪 ;

蔡庆威 ;

王景祺 .

中国专利 :CN104733321B ,2015-06-24

[8]

用于FinFET器件的方法 [P].

蔡俊雄 ;

游国丰 .

中国专利 :CN105097546A ,2015-11-25

[9]

用于FinFET器件的方法和结构 [P].

蔡劲 .

中国专利 :CN108987344A ,2018-12-11

[10]

FinFET器件和方法 [P].

胡嘉欣 ;

张胜杰 .

中国专利 :CN104766886A ,2015-07-08

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